收藏本站
MWI 50-12T7T
100000
NTC
1
Module
Diode
IGBT
10000
R
[ Ω ]
1000
Z thJC
[K/W]
0.1
100
25
50
75
100
125
150
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
T C [°C]
F ig. 13 Typ. NTC resistance vs. temperature
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t p [s]
Fig. 14 Typ. transient thermal impedance
20100831d
7-7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MWI60-06G6K MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1
MWI60-12T6K MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
MWI75-06A7T MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
MWI75-12A8 MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
MWI75-12T7T IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
MWI75-12T8T IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
MWI80-12T6K MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1
N-66A TRANS 250VA 115V 2.17A CHASIS MT
相关代理商/技术参数
MWI60-06G6K 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI60-12T6K 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI75-06A7 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI75-06A7T 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
MWI75-12A5 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Modules Sixpack
MWI75-12A8 功能描述:分立半导体模块 IGBT MOD 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI75-12A8T 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
MWI75-12E8 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: